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华为器件岗笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内）

1.下列哪个物理量是描述半导体材料导电能力的关键参数？

A.密度

B.能带宽度

C.载流子迁移率

D.晶体结构

2.PN结正向偏置时，其主要特性是：

A.扩散电流远大于漂移电流，呈现低阻态

B.扩散电流远小于漂移电流，呈现高阻态

C.扩散电流和漂移电流基本相等

D.电流无法流过

3.在双极结型晶体管（BJT）中，发射结和集电结同时反向偏置时，晶体管工作在哪种状态？

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.工作状态

4.MOSFET的输出特性曲线（ID-VGS曲线）中，描述器件从截止区进入饱和区的电压是：

A.开启电压（Vth）

B.漏源击穿电压（V(BR)DS）

C.饱和电压（VGSat）

D.击穿电压（VBR）

5.对于N沟道增强型MOSFET，当栅源电压VGS小于开启电压Vth时，器件处于：

A.饱和区

B.可变电阻区

C.截止区

D.击穿区

6.器件的跨导（gm）主要反映了：

A.器件击穿特性

B.