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半导体量测扫描电子显微镜自动聚焦：CD-SEM设备聚焦算法与不同材料二次电子产率竞争

摘要

本报告聚焦半导体量测扫描电子显微镜（CD-SEM）领域，深度剖析自动聚焦算法与不同材料二次电子产率（SEY）之间的竞争与协同关系。报告以日立高新为核心分析对象，涵盖应用材料等头部企业，系统评估其在光刻胶、硅、金属等多材料测量中的自动聚焦速度与精度表现。

全文遵循“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判→策略建议”的逻辑递进展开。核心发现表明，随着半导体工艺节点迈入3nm及以下，CD-SEM的自动聚焦速度与精度面临严峻挑战。不同材料的二次电子发射系数差异显著，导致聚焦信号信噪比波动，直接影响测量吞吐量与关键尺寸（CD）测量重复性。

日立高新凭借在电子束能量自适应控制与多模式扫描算法上的深厚积累，在多材料混测场景下保持了较高的聚焦成功率与吞吐量优势。然而，新兴竞争者通过AI辅助聚焦与高能电子束抑制充电效应的策略，正加速缩小差距。报告预判，未来竞争焦点将从单一硬件参数比拼转向“材料-算法-束流”的深度协同。建议国内设备厂商强化底层物理模型构建，针对国产化材料体系定制聚焦算法，以差异化路径突破高端市场壁垒。

第一章报告概述

1.1分析背景与目标

随着半导体制造工艺节点向3nm及以下演进，关键尺寸（CD）测量的精度要求已逼近亚纳米级别。CD-SEM作为图形测