1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 说明文书

CN119542121A 一种低电阻TiN半导体薄膜及其制备工艺 （重庆鹰谷光电股份有限公司）.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9.36千字
  • 约 9页
  • 2026-08-09 发布于重庆
  • 举报

CN119542121A 一种低电阻TiN半导体薄膜及其制备工艺 （重庆鹰谷光电股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119542121A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202411716437.5

    (22)申请日2024.11.27

    (71)申请人重庆鹰谷光电股份有限公司

    地址400060重庆市南岸区经开区丹龙路7

    号E幢

    (72)发明人黄益中汪振覃朋飞范忠孝

    简茂余

    (74)专利代理机构重庆顾迪专利代理事务所

    (普通合伙)50246

    专利代理师温馨

    (51)Int.Cl.

    H01L21/02(2006.01)

    H01L21/67(2006.01)

    权利要求书1页说明书

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >