先进封装硅桥与中介层的成本效益交叉点：针对不同芯片面积与互连密度的模型.docx

PAGE2

先进封装硅桥与中介层的成本效益交叉点：针对不同芯片面积与互连密度的模型

摘要

本报告聚焦于先进封装领域内硅桥与硅中介层两种核心互连方案，在2025至2035年预测周期内的成本效益交叉点演变。研究旨在通过建立基于产能、缺陷密度和光刻图形化尺寸的成本模型，量化并预测在不同芯片面积与互连密度下，硅桥方案相对硅中介层方案实现单位成本优势的临界条件。

核心趋势判断表明，当局部互连密度超过40I/O/mm2，且芯片面积超过300mm2时，硅桥方案的经济性优势将开始显现。这一交叉点主要受300mm晶圆级封装产能扩张、硅桥缺陷密度改善至0.05defects/cm2以下，以及2/2