YST 1745-2025 分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告.docxVIP

分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:High-PurityAluminumSourceforMolecularBeamEpitaxy(MBE)

摘要

分子束外延（MBE）技术是制备高性能化合物半导体材料的关键工艺手段，其外延层质量直接取决于源材料的纯度水平。高纯铝源作为MBE生长铝镓砷（AlGaAs）、铝镓氮（AlGaN）、铝镓铟磷（AlGaInP）等重要半导体材料的核心源材料，其纯度等级、杂质控制及包装输运规范性对器件性能和工艺稳定性具有决定性影响。然而，长期以来我国缺乏针对MBE用高纯铝源的专项行业标准，导致产品规格不一、质量参差不齐，制约了化合物半导体产业的自主可控发展。

关键词：分子束外延；高纯铝源；有色金属行业标准；半导体材料；杂质控制；标准化

1引言

1.1研究背景

分子束外延（MolecularBeamEpitaxy，MBE）技术诞生于20世纪60年代末期，是一种在超高真空条件下对晶体薄膜进行逐原子层精确控制生长的先进外延技术。该技术能够在原子尺度精确控制薄膜厚度、组分和掺杂分布，是制备量子阱、超晶格、高电子迁移率晶体管（HEMT）、半导体激光器等高性能光电子和微电子器件的核心手段。

在MBE工艺体系中，高纯源材料的质量是决定外延层晶体质量和器件性能的首要因素。高