CN119584628A 嵌入源漏区的形成方法 （重庆芯联微电子有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584628A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411694744.8

(22)申请日2024.11.25

(71)申请人重庆芯联微电子有限公司

地址401331重庆市沙坪坝区高新区西永

街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153

(72)发明人邱靖尧郑名廷

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H01L21/308(2006.01)

H10D84/85(2025.01)