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硅衬底氮化镓材料质量提升技术的多维探索与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，氮化镓（GaN）材料凭借其卓越的性能，已然成为研究与应用的焦点。氮化镓拥有大禁带宽度、高电子饱和速率、出色的耐高压性能以及强大的抗辐射能力，这些优异特性使其在高温、高频、大功率以及抗辐射微电子器件的制作中成为首选材料。在5G通信基站的射频器件里，氮化镓能够实现更高的工作频率和功率密度，有效提升信号传输的效率与质量；在新能源汽车的充电桩和车载逆变器中，使用氮化镓功率器件可显著提高电能转换效率，降低能量损耗。

目前，商业化的GaN基光电子器件大多采用蓝宝石衬底和SiC衬底。然而，蓝宝石衬底的绝缘特性以及过高的硬度，使得器件制作工艺更为复杂；SiC衬底的高昂成本则严重限制了GaN基器件的大规模应用与进一步发展。与之相比，Si衬底具有价格低廉、面积大、导热导电性能良好等显著优势，并且硅的加工工艺高度成熟，采用Si衬底能够便捷地与Si基电子器件进行集成，为实现高度集成化的半导体系统提供了可能。近年来，Si基GaN材料和器件的研究吸引了众多科研人员和企业的目光，成为半导体领域的研究热点之一。

但是，GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配。这种失配导致GaN层中产生大量的裂纹和位错，这些缺陷严重影响了材料的电学和光学性能，极大地阻碍了S