5G-A 6G基站射频前端中GaN-on-SiC毫米波功率放大器的能效提升路径.docx

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5G-A/6G基站射频前端中GaN-on-SiC毫米波功率放大器的能效提升路径市场调研报告

摘要

本报告聚焦于5G-A（5G-Advanced）与6G通信演进背景下，基站射频前端中基于氮化镓-碳化硅（GaN-on-SiC）衬底技术的毫米波功率放大器（PA）的能效提升路径。核心调研主题是分析高频段基站对高线性度、高效率GaN功放的需求，并深入探讨Doherty架构与包络追踪（ET）两大关键技术的最新进展与融合趋势。

报告首先概述了全球5G-A/6G部署对基站功耗带来的严峻挑战，明确了毫米波频段PA能效提升是行业关键瓶颈。通过对市场环境、技术现状及竞争格局的分析，识别出高频、高线