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笔记本维修用沟道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-08-11 发布于北京
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笔记本维修用沟道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1997年1月

    N

    NDS355AN

    N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管

    概述特性

    SuTM

    perSOT‑3N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体1.7A，30V，R=0.125@V=4.5VR

    DS(ON)GS

    管采用National独有的高单元密度DMOS技术制造。这=0.085@V=10V。采用专有的

    DS(ON)GS

    种度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器TM

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