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探索金属互连电迁移可靠性：新型表征参量的理论与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术迅猛发展的浪潮下，集成电路（IntegratedCircuit，IC）作为电子产品的核心，其性能与可靠性深刻影响着整个电子系统的运行。集成电路技术的进步始终以加工的最小线条尺寸缩小和芯片集成度提高为显著标志，随着技术的持续演进，电子元器件、电子器件组件尺寸已迈入超深亚微米量级。在这一发展进程中，金属互连在整个集成电路芯片中所占的面积比例日益增大，成为集成电路不可或缺的关键组成部分，承载着连接芯片内各个功能单元、实现信号传输与电能供应的重任，堪称集成电路中的信号传输“血管”。

然而，随着集成电路技术的不断进步，金属连线的宽度不断减少，连线层数持续增加，这直接致使互连线中电流密度急剧增大，热应力和电迁移应力也相应大幅提升，对互连线的可靠性构成了严重威胁。金属互连电迁移现象，是指在电流作用下，互连薄膜中的金属原子受到运动电子的作用而引发的物质输运现象。当电迁移发生时，金属原子会沿着电子流动的方向逐渐迁移，进而导致金属互连线上出现空洞、小丘等缺陷。这些缺陷会使互连引线的电阻增大，甚至引发断路或短路，最终致使集成电路失效。在实际应用中，由于电迁移问题导致的集成电路失效案例屡见不鲜，严重影响了电子产品的性能、稳定性和使用寿命，也增加了产品的维护成本和安全风险。因此，金属互连的电迁移失效问题