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Chiplet间的低延迟、高带宽互连电路专利技术竞争

摘要

本报告聚焦Chiplet间低延迟、高带宽互连电路领域的专利技术竞争，以多芯片并行接口、高速SerDes、微凸点设计三大技术分支为分析主线，系统对比AMD、英伟达、英特尔在Die-to-Die物理层IP的专利保护强度与布局策略。核心发现表明，英特尔凭借历史积累在基础互连架构专利上占据数量优势，AMD通过收购赛灵思获得SerDes与并行接口的差异化专利组合，英伟达则在高带宽存储互连与定制化协议领域构建了高质量专利壁垒。三者在微凸点设计专利上交叉许可频繁，但在物理层电路实现方案上形成显著的技术路线分化。

报告遵循“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判→策略建议”的递进逻辑。第一章明确分析边界与竞争者范围；第二章梳理先进封装互连的行业环境；第三章量化专利竞争格局与集中度；第四章深度剖析三家头部企业的专利储备与战略意图；第五章拆解其专利布局、权利要求设计及诉讼防御策略；第六章构建专利保护强度评估体系并量化对比；第七章预判UCIe标准下的专利竞合趋势；第八章提出面向国内企业的互连电路专利规避与布局建议。关键判断是：SerDes物理层专利将成为未来三年竞争焦点，微凸点专利因标准化而价值递减，并行接口专利在低成本场景中仍具防御价值。

第一章报告概述

1.1分析背景与目标

Chiplet技术正重