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硅中介层在2.5D封装中的制备工艺与成本结构分析

摘要

本报告聚焦先进封装技术领域，以硅中介层（SiliconInterposer）在2.5D封装中的制备工艺与成本结构为核心研究对象。随着摩尔定律放缓，高性能计算（HPC）芯片对集成密度与互连带宽的需求持续攀升，2.5D封装凭借其卓越的互连密度和能效优势，已成为AI加速器、数据中心CPU/GPU等高端芯片的主流集成方案。

报告核心发现：硅中介层作为2.5D封装的关键载体，其制造成本占整个封装模块总成本的30%-50%，是决定技术经济性的核心瓶颈。TSV（硅通孔）制造与RDL（再分布层）布线构成硅中介层两大核心工艺模块，其中T