存算一体AI芯片在端侧推理的突破:打破内存墙的新架构.docx

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存算一体AI芯片在端侧推理的突破:打破内存墙的新架构

摘要

本报告聚焦端侧AI芯片领域,深入剖析存算一体(Compute-in-Memory,CIM)架构如何突破传统冯诺依曼架构的“内存墙”瓶颈,在可穿戴设备与传感器节点等功耗极度敏感的场景中实现极致能效比。

研究范围覆盖基于SRAM、ReRAM(阻变存储器)等主流存储介质的存内计算方案,从产业链、竞争格局、需求演变到未来趋势进行系统性研判。

核心发现表明,存算一体架构正从学术研究快速迈向商业落地。2023年全球存算一体AI芯片市场规模约为2.8亿美元,预计到2028年将以超过65%的年复合增长率扩张至约35亿美元。在特定端

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