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mems工艺测试试题

姓名： 日期： 分数：

一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分。在每小题列出的四个选项中，只有一项是最符合题目要求的，请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

在MEMS器件制造流程中，哪一步骤通常用于在晶圆上形成深亚微米级别的结构特征？

光刻（Photolithography）

腐蚀（Etching）

外延生长（Epitaxy）

化学机械抛光（CMP）

对于要求高纯度的MEMS结构（如微机械悬臂梁），以下哪种类型的干法刻蚀技术通常被认为具有更好的选择比（Selectivity）和方向性？

等离子体刻蚀（PlasmaEtching）

反应离子刻蚀（RIE）

等离子增强化学气相沉积（PECVD）

热氧化（ThermalOxidation）

在MEMS器件的封装过程中，粘接层（DieBonding）的主要作用是？

提供电路互连

将晶圆键合到基板上，提供结构支撑和电气隔离

实现晶圆减薄

作为最终的钝化层

用于检测MEMS微结构尺寸、形状和位置偏差的常用光学测量方法是？

扫描电子显微镜（SEM）

原子力显微镜（AFM）

白光干涉测量（WhiteLightInterferometr）y

拉曼光谱（RamanSpectroscopy）

测试