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大唐微电子笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.下列关于CMOS反相器的描述，正确的是：

(A)输入高电平时，PMOS管导通，NMOS管截止。

(B)输出高电平时，功耗最低。

(C)具有对称的输入输出阻抗。

(D)静态功耗理论上为零。

(E)以上说法均正确。

(F)以上说法均不正确。

2.在数字电路中，实现“与”逻辑功能的门电路是：

(A)与非门

(B)或非门

(C)异或门

(D)与门

(E)或门

(F)以上门电路均可通过组合实现。

3.以下关于三极管的描述，错误的是：

(A)BJT是双极型晶体管，JFET是场效应晶体管。

(B)BJT的输出特性曲线存在饱和区、放大区和截止区。

(C)JFET的栅极与沟道之间是绝缘的，输入阻抗极高。

(D)BJT是电流控制器件，JFET是电压控制器件。

(E)在相同尺寸下，BJT的跨导通常大于JFET。

(F)BJT和JFET都可用于放大和开关应用。

4.在双口网络中，若端口电压和电流关系为V1=2I1+0.5I2，V2=-0.5I1+3I2，则该网络是：

(A