CN119720904A 一种热-电-辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法 (扬州大学).pdfVIP

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  • 2026-08-12 发布于重庆
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CN119720904A 一种热-电-辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法 (扬州大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119720904A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202411712246.1

(22)申请日2024.11.27

(71)申请人扬州大学

地址225009江苏省扬州市邗江区大学南

路88号

(72)发明人薛玉雄周炜翔曹荣幸陆雨鑫

刘涵勋陈肖李佳妍张子昂

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限

公司32200

专利代理师朱小兵

(51)Int.Cl.

G06F30/367(2020.01)

G06F30/25(2020.01)

G06F119/04(2020.01)

G06F119

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