1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

P沟道MOSFET器件特性与应用说明.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约8.18万字
  • 约 20页
  • 2026-08-13 发布于北京
  • 举报

P沟道MOSFET器件特性与应用说明.pdf

    P沟道增强型MOSFETT

    特性引脚描述

    •‑30V/‑4A，RDS(导通)=100m(典型值)

    @VGS=‑10V；RDS(导通)=170m(典型

    值)@VGS=‑4.5VGD

    •密度单元设计S

    •可靠且坚固耐用

    TO‑252封装顶视图

    •无铅版本（符合R标准）

    S

    应用领域

    •台式电脑或DC/DC转换器中的电源管理

    G

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >