CN119743960A 一种电容结构的形成方法及电容结构 （杭州富芯半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743960A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411702534.9

(22)申请日2024.11.26

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

地址311418浙江省杭州市富阳区灵桥镇

滨富大道135号（滨富合作区）

(72)发明人田斌伟万鹏曹文康范思苓

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H10D1/68(2025.01)

权利要求书3页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种电容结构的形成方