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3D面互连架构Chiplet封装技术演进与主流厂商研发竞赛格局分析

摘要

本报告聚焦3D面互连架构在Chiplet封装中的技术演进，深度剖析主流厂商在无凸块互连领域的研发竞赛格局。报告以背景扫描为起点，研判全球先进封装市场环境，剖析台积电、英特尔、三星等头部对手的技术路线与战略打法，对比各方在混合键合工艺上的优劣势，预判未来竞争趋势并提出策略建议。

研究发现，随着摩尔定律趋缓，Chiplet已成为延续算力增长的核心路径，而3D面互连架构凭借极低的互连寄生电阻和超高密度，正成为打破内存墙的关键。当前竞争焦点正从传统的微凸块向无凸块的铜铜混合键合转移。台积电凭借SoIC技术占据代工主导地位，英特尔与三星则通过Foveros和X-Cube全力追赶。

核心数据显示，采用混合键合的3D互连密度可达104根/mm2

第一章报告概述

1.1分析背景与目标

随着人工智能与大模型训练需求爆发，单芯片算力提升面临物理极限与良率挑战。Chiplet架构通过将不同功能芯片模块化封装，成为延续摩尔定律的关键。其中，3D面互连架构作为实现高带宽、低延迟的核心技术，正引发全球半导体巨头的研发竞赛。

本报告的分析动因在于明确当前无凸块互连技术的成熟度与竞争壁垒，为半导体封装企业的技术路线规划与资源配置提供决策支撑。核心问题集中在混合键合工艺的量产良率、热应力管理及各厂商技术路线的差异化优势。