CVD法制备Cu掺杂β-Ga2O3薄膜及其紫外探测性能研究.docxVIP

CVD法制备Cu掺杂β-Ga2O3薄膜及其紫外探测性能研究

关键词：化学气相沉积；Cu掺杂；β-Ga2O3；紫外探测性能；XRD；SEM；UV-Vis

1引言

1.1研究背景及意义

随着科学技术的发展，紫外探测技术在通信、医疗、环境监测等领域扮演着越来越重要的角色。β-Ga2O3作为一种宽带隙半导体材料，具有优异的光电特性，如高光透过率、低热导率和良好的化学稳定性，使其成为制作高效紫外探测器的理想材料。然而，β-Ga2O3的直接带隙宽度限制了其在紫外区域的响应能力。为了拓宽其应用范围，提高探测灵敏度，研究人员尝试通过掺杂其他元素来改变其能带结构，从而增强紫外探测性能。Cu是一种常见的掺杂元素，能够有效降低材料的带隙宽度，增加光吸收范围。因此，研究Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及其紫外探测性能具有重要的科学意义和应用价值。

1.2国内外研究现状

目前，关于Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的研究主要集中在制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面。传统的制备方法包括磁控溅射、分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）。其中，CVD技术因其低成本、高产量和可控性而受到广泛关注。研究表明，通过调节生长温度、氧气流量和铜源与氧化镓源的比例，可以有效地控制Cu在β-Ga2O3薄膜中的分布和掺杂浓度。然而，对于Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的紫外探测性能研究相对较少，且大多数研究集中在单一元素的掺杂，缺