线偏振激光场中原子的多光子电离的光电子角分布研究详解.ppt

线偏振激光场中原子(Zi)的多光子(Zi)电离的光电子(Zi)角分布研究详解演示文稿;（优选）线偏振激(Ji)光场中原子的多光子电离的光电子角分布研究;光电(Dian)子角分布的处理方法;研究(Jiu)结果;Contents;GAC理(Li)论对光电子电离的处理(Li);GAC理论(Lun)成功的解释了强光场中半过程的KD效应;复(Fu)合相位Bessel函数;上述公式(Shi)中，采用了一种带相位的Bessel函数，它通过普通的第一类Bessel函数定义：;研究发现,电离过程(Cheng)中起主导作用的是(4)式中第一个复合相位Bessel函数,它的阶j表示电离过程中电子吸收的光子数,其自变量由光电子的动量和激光的强度、频率等共同决定.复合相位Bessel函数值的变化,决定了光电子角分布的主要特征及其演化.;光电子角分布的喷(Pen)射结构;GAC理论(Lun)计算结果;研究发现,在多光子电离过程中,电子的跃迁几率幅可由复合相位Bessel函数来描述。

复合相位Bessel函数的值随自变量Z的增加(Jia)而振荡地增加(Jia),从而形成一系列的极值点;

对应于最大值Zmax附近的复合相位Bessel函数的值形成了光电子角分布的主枝结构,其它的的极值点附近的复合相位Bessel函数的值形成光电子角分布的喷射结构;;;双光子过(Guo)程;第十