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三代物料面试题及答案.docx

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    三代物料面试题及答案

    一、单选题（共20分）

    1.第三代半导体材料主要包括碳化硅和氮化镓，其中碳化硅（SiC）的禁带宽度约为（）eV。

    A.1.1

    B.1.4

    C.3.2

    D.0.66

    答案：C

    2.在第三代半导体材料中，氮化镓（GaN）的主要优势在于其（）。

    A.耐高温性能

    B.高电子迁移率

    C.低导热系数

    D.低击穿电压

    答案：B

    3.下列关于碳化硅（SiC）特性的描述中，错误的是（）。

    A.热导率远高于硅

    B.击穿电场强度高

    C.电子饱和漂移速度低

    D.耐高温性能优异

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