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mems工艺测试试题

姓名：__________日期：__________分数：__________

一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分。在每小

题列出的四个选项中，只有一项是最符合题目要求的，请将正确选项

的字母填在题后的括号内。）

1.在MEMS器件制造流程中，哪一步骤通常用于在晶圆上形成深

亚微米级别的结构特征？

A.光刻（Photolithography）

B.腐蚀（Etchig）

C.外延生长（Epitaxy）

D.化学机械抛光（CMP）

2.对于要求高纯度的MEMS结构（如微机械悬臂梁），以下哪种

类型的干法刻蚀技术通常被认为具有更好的选择比（Selectivity）和

方向性？

A.等离子体刻蚀（PlasmaEtchig）

B.反应离子刻蚀（RIE）

C.等离子增强化学气相沉积（PECVD）

D.热氧化（ThermalOxidatio）

3.在MEMS器件的封装过程中，粘接层（DieBodig）的主要

作用是？

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