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半导体物理气相沉积工艺考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.在半导体物理气相沉积工艺中，下列哪种方法不属于物理气相沉积？

A.蒸发沉积

B.溅射沉积

C.化学气相沉积

D.喷涂沉积

2.蒸发沉积工艺中，常用的热源是什么？

A.激光

B.电子束

C.等离子体

D.热丝

3.在溅射沉积中，哪种材料通常用作靶材？

A.硅

B.金

C.铝

D.钨

4.化学气相沉积（CVD）的主要反应物是什么？

A.分子束

B.等离子体

C.化学气体

D.热离子

5.气相沉积工艺中，哪种方法适用于大面积均匀沉积？

A.蒸发沉积

B.溅射沉积

C.化学气相沉积

D.喷涂沉积

6.蒸发沉积工艺的主要优点是什么