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半导体工艺工程师岗位工艺考试试卷及答案

半导体工艺工程师岗位工艺考试试卷及答案

填空题（每题1分，共10分）

1.光刻胶根据曝光后溶解度变化分为______和______。

2.蚀刻工艺主要分为______蚀刻和______蚀刻两类。

3.CVD的中文全称是______。

4.半导体掺杂常用的两种方法是______和______。

5.晶圆的主要材料是______（化学符号）。

6.PECVD中的“P”代表______。

7.光刻工艺的核心步骤包括涂胶、______、显影和硬烤。

8.蚀刻工艺的关键指标之一是______，即对目标材料与非目标材料的刻蚀速率比。

9.薄膜厚度常用的单位是____