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半导体晶圆刻蚀工艺技师考试试卷及答案

半导体晶圆刻蚀工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.刻蚀工艺主要分为______刻蚀和______刻蚀两大类。

2.等离子体刻蚀中常用的氟碳类气体有______（举一例）。

3.刻蚀速率的常用单位是______。

4.光刻胶在刻蚀工艺中的主要作用是______。

5.等离子体的产生通常需要______电源提供能量。

6.刻蚀选择性是指______与______的刻蚀速率之比。

7.光学发射光谱（OES）常用于刻蚀的______检测。

8.晶圆清洗中去除二氧化硅常用的试剂是______。

9.刻蚀均匀性通常用______（指