基于多物理场耦合的Ⅲ族氮化物MOCVD生长数值模拟与优化策略.docxVIP

基于多物理场耦合的Ⅲ族氮化物MOCVD生长数值模拟与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子学、光电子学等领域中扮演着至关重要的角色。Ⅲ族氮化物作为一类直接带隙宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理与化学特性，如高电子迁移率、宽禁带、高热导率以及高化学稳定性等，在光电子器件、电力电子器件等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为半导体领域研究的热点之一。

Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）等，它们的带隙范围较宽，从0.7eV（氮化铟）到6.2eV（氮化铝）不等，这一特性使得它们在光电子器件、发光二极管及太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。例如，氮化镓因其在可见光到近红外光谱范围内良好的发光效率，被广泛应用于全色发光二极管（LED），为照明、显示等领域带来了革命性的变化；作为高效的光电转换材料，氮化镓基太阳能电池展现出巨大的市场潜力，有望在未来太阳能发电领域发挥重要作用。此外，Ⅲ族氮化物还具有优异的热电性能，如氮化镓的热导率高达140W/mK，这使得它们在热管理方面具有潜在的应用价值。在高频、高压电子器件领域，Ⅲ族氮化物凭借其强击穿电场、高电子迁移率及高饱和漂移速度等优势，为5G通信、新能源汽车等新兴产业的发展提供了关键支撑。

金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术作为制备Ⅲ族氮化物薄膜的