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MOCVD外延生长技术简介

摘要：MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术，本文主要介绍外延的基本原理以及目前

世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造。

外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）

上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延

片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD

金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD），

1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品