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半导体材料制备技师考试试卷及答案

半导体材料制备技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.工业提纯多晶硅的主流方法是______法。答案：西门子

2.半导体器件衬底常用______硅单晶材料。答案：单晶硅

3.施主杂质掺杂后半导体呈______型导电。答案：N

4.CVD常用硅源气体是______（写化学式）。答案：SiH4

5.曝光后未照射部分保留的光刻胶是______胶。答案：负

6.PVD包括蒸发和______两种主要方式。答案：溅射

7.区熔法生长单晶硅的突出优点是______高。答案：纯度

8.扩散工艺的主要目的是______杂质。答案：掺入

9.离子注入的优点之一是