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半导体工艺笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内）

1.在半导体制造中，硅（Si）是一种重要的基础材料，其原子最外层有4个电子，这决定了硅属于哪种类型的元素？

A.金属元素

B.非金属元素

C.稀土元素

D.过渡金属元素

2.在晶体管的制造过程中，通过扩散或离子注入等方法，在硅片特定区域改变其掺杂浓度，这个过程称为？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

3.光刻工艺中，用于传递图形信息的载体是？

A.硅片

B.掩模版

C.光刻胶

D.腐蚀液

4.光刻胶根据其感光方式不同，主要分为正胶和负胶。使用正胶进行曝光显影后，图形区域与未曝光区域的关系是？

A.图形区域变厚，未曝光区域变薄

B.图形区域变薄，未曝光区域变厚

C.图形区域和未曝光区域都变厚

D.图形区域和未曝光区域都变薄

5.刻蚀工艺按照物理化学机制，可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀通常使用什么作为刻蚀介质？

A.等离子体

B.化学溶液

C.高温气体

D.离子束流

6.在干法刻蚀中，等离子