半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:DeterminationofMetallicContaminationonSemiconductorWaferSurfacesbyTotalReflectionX-RayFluorescenceSpectrometry
摘要
半导体晶片表面金属沾污是影响集成电路制造良率与器件可靠性的关键因素,其精确测定已成为先进制程工艺控制的核心环节。全反射X射线荧光光谱法(TXRF)凭借其高灵敏度、非破坏性和多元素同时检测等优势,成为半导体
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