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半导体先进节点钌衬垫物理气相沉积：PVD设备与钌靶材的台阶覆盖与薄膜电阻竞争

摘要

本报告聚焦半导体先进互连工艺中钌衬垫物理气相沉积（PVD）领域，深度剖析PVD设备与钌靶材在台阶覆盖与薄膜电阻两大核心指标上的竞争格局。随着互连线宽微缩至3nm及以下，传统钴互连面临严重的电迁移与电阻率激增挑战，超薄钌衬垫成为关键缓冲层。报告以应用材料Endura平台为基准，系统探讨直流磁控溅射参数、钌靶材晶粒尺寸与设备基板偏压/功率的协同机制。

全文遵循“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判→策略建议”的递进逻辑。研究发现，PVD钌衬垫竞争已从单一设备产能竞赛，演变为