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下一代逻辑芯片GAA晶体管所需的原子层沉积与选择性沉积设备市场及技术发展报告

摘要

随着半导体制造工艺迈向3nm及以下技术节点，环绕栅极（GAA）晶体管架构正全面取代FinFET架构，成为高端逻辑芯片制造的核心驱动力。这一底层架构的变革对薄膜沉积工艺提出了前所未有的精度要求，直接推动了原子层沉积（ALD）与选择性沉积（ASD）设备市场的爆发式增长。本报告聚焦于GAA晶体管制造中所需的ALD与ASD设备，深入剖析了其在栅极、间隔层等关键步骤中的应用增长、技术演进及市场竞争格局。

报告从宏观环境、产业链现状、竞争格局、下游需求及未来趋势等多个维度展开系统性分析。研究发现，GAA架构中纳米片结构的释放与内间隔层的形成，极大地增加了对高深宽比、无损伤沉积工艺的依赖。同时，接触孔与源漏极的金属化过程正加速引入选择性沉积技术，以解决3D结构中的阴影效应并缩短工艺步骤。

在市场规模方面，全球ALD设备市场预计将从2023年的约35亿美元增长至2028年的近60亿美元，复合年增长率（CAGR）约为11%。其中，专为3nm及以下节点配套的ALD及ASD设备增速显著高于行业平均，预计年复合增速将突破20%。市场集中度方面，目前全球ALD设备市场呈现高度集中的寡头竞争格局，ASMInternational、泛林半导体和应用材料占据了超过80%的市场份额。

竞争态势显示，头部设备商正将