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氮化镓外延生长工岗位操作考试试卷及答案

氮化镓外延生长工岗位操作考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.氮化镓外延生长常用的化学气相沉积方法是______。

2.氮化镓的稳定晶体结构为______。

3.生长氮化镓的金属有机前驱体通常是______。

4.氮化镓外延最常用的衬底材料是______。

5.氮化镓外延生长的典型温度范围是______℃。

6.MOCVD生长中常用的载气是______。

7.氮化镓n型掺杂常用的杂质是______。

8.测量外延层厚度的常用工具是______。

9.反应室压力的常用单位是______。

10.氮化镓样品储存需在______环境中防止氧化。

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.氮化镓外延中氨气的主要作用是（）

A.载气B.氮源C.掺杂剂D.清洁气体

2.与氮化镓晶格匹配度最高的衬底是（）

A.蓝宝石B.SiCC.硅D.GaAs

3.Mg掺杂氮化镓激活p型导电需进行（）

A.退火处理B.降温处理C.掺杂SiD.增加V/III比

4.测量外延层表面粗糙度的工具是（）

A.万用表B.AFMC.示波器D.光谱仪

5.MOCVD反应室压力通常控制在（）

A.常压B.高真空C.低压（10-100mbar）D.超高压

6.氮化镓的禁带宽度约为（）

A.1.1eVB.2.2eVC.3.4eVD.4.5eV

7.调节V/