半导体器件物理（第2版）实验指导书.docxVIP

实验1晶体缺陷的观测

1.实验目的

（1）掌握硅单晶片研磨、热处理、化学抛光和化学腐蚀的操作方法。

（2）学会在金相显微镜下观测硅单晶中的位错或点缺陷。

2.实验内容

在硅单晶（选[111]晶向）片上通过研磨、热处理、化学抛光和化学腐蚀的方法显示晶体缺陷。首先用“非择优腐蚀剂”进行表面化学抛光；然后用“择优腐蚀剂”进行化学腐蚀来揭示晶体缺陷。在金相显微镜下观测硅晶体位错或点缺陷的腐蚀坑，根据显示的腐蚀坑数目来计算缺陷密度。

3.实验原理

（1）常用的“非择优腐蚀剂”为：

HF(40%～42%)∶HNO3(65%)=1∶2.5

非择优腐蚀剂主要用于硅片表面化学抛光，以达到表面清洁处理，去除机械损伤层，获得光亮表面的目的。其反应原理为：

Si+4HNO3+6HF=H2SiF6+4NO2↑+4H2O

（2）常用的“择优腐蚀剂”为：

标准液：HF(40%～42%)=3∶1慢速液

标准液：HF(40%～42%)=2∶1中速液

标准液：HF(40%～42%)=1∶1中速液

标准液：HF(40%～42%)=1∶2快速液

择优腐蚀剂用来揭示缺陷（其中标准液为CrO3∶H2O?=?1∶2质量比），一般来说腐

蚀速度越快，择优性越差。在常温（20℃）下选1∶1的中速液