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薄膜沉积设备腔体多叶片匀气挡板机构设计与流场均匀性优化

摘要

薄膜沉积是半导体制造的核心工艺，其膜厚均匀性直接决定芯片良率。随着晶圆尺寸向300mm演进，腔体内部气流分布不均已成为制约沉积均匀性的关键瓶颈。本研究针对化学气相沉积设备腔体，设计了一种多级导流叶片匀气挡板机构，旨在通过优化气流分布提升薄膜沉积均匀性。

全文按照“需求分析→总体设计→详细设计→仿真验证”的工程递进思路展开。第一章分析薄膜沉积均匀性的现实需求与现有匀气方案的不足；第二章介绍计算流体力学仿真技术与多孔介质流动理论；第三章明确匀气机构的设计指标与功能需求；第四章完成多级叶片匀气挡板的总体架构与模块划分；第五章对叶片几何参数进行详细设计并建立流场仿真模型；第六章实现参数化建模与仿真分析流程；第七章通过正交试验优化叶片结构并验证流场均匀性提升效果。

本设计的核心创新在于提出“多级导流+环形分区”的匀气策略，通过三级叶片的角度梯度配置实现腔体径向流速的精确调控。仿真结果表明，优化后的匀气挡板使晶圆表面流速不均匀度由初始的18.7%降至4.2%，为薄膜沉积设备腔体设计提供了可行的工程方案。

关键词：薄膜沉积；匀气挡板；多级导流叶片；流场均匀性；计算流体力学

第一章绪论

1.1研究背景

半导体制造工艺中，薄膜沉积是构建芯片功能结构的关键步骤。化学气相沉积（CVD）技术通过气态前驱体在晶圆表面发生化学