CN119623169A 一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法 (电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-08-20 发布于重庆
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CN119623169A 一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法 (电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119623169A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411668792.X

(22)申请日2024.11.21

(71)申请人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人李学生徐皓辰陈敏谢晓梅

魏明珠徐利梅李强孙灵杰

冉梦帆陈威

(74)专利代理机构成都信捷同创知识产权代理

事务所(普通合伙)51323

专利代理师代述波

(51)Int.Cl.

G06F30/23(2020.01)

G06F119/08(2020.01)

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