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钙钛矿薄膜退火温度工艺

作为一名在钙钛矿光电器件工艺开发领域做了五六年的研发人员，我见过太多实验因为退火温度差了区区5℃，就从预期的高性能器件变成了一堆不合格的废片；也经历过把退火温度调整10℃之后，器件效率直接跳升两个百分点的惊喜。可以说，钙钛矿薄膜是所有钙钛矿光电器件的核心功能层，薄膜的结晶质量、缺陷密度、晶粒均匀性直接决定了最终器件的性能上限，而退火工艺是调控这些薄膜参数最核心、最经济的手段，退火温度又是整个退火工艺里影响最大、最需要精细化调控的变量。本文我就结合自己实际做工艺的经验，从原理、实际影响、参数选择到现存问题，完整梳理钙钛矿薄膜退火温度工艺的相关内容。

1退火温度对钙钛矿薄膜制备的核心意义

刚接触钙钛矿制备的新人常常会觉得，退火不就是把旋涂完的薄膜放去热板上烤一烤吗？没必要对温度抠得这么细吧？我刚进实验室的时候也这么想，直到第一次做完整器件翻车才明白，退火温度绝对是钙钛矿工艺里的“灵魂变量”。

1.1退火工艺本身对钙钛矿薄膜的核心作用

我们现在制备钙钛矿薄膜，最常用的还是溶液法，不管是一步旋涂、两步沉积还是刮涂、印刷，前驱体涂覆完成之后，得到的只是混合了钙钛矿前驱体溶质、残留溶剂的非晶态薄膜，这个时候的薄膜没有完整的钙钛矿结晶，内部到处都是无序的间隙和缺陷，根本没法用。退火就是通过加热给钙钛矿分子提供扩散能量，让它们重新排列形成规整的钙钛矿晶体，同时让残留的溶