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碳化硅在算力中心UPS与HVDC大功率整流系统中的低损耗替代路径与全生命周期节能效益测算

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）功率器件在算力中心不间断电源（UPS）与高压直流（HVDC）大功率整流系统中，对传统硅基IGBT进行替代的路径及其全生命周期节能效益。研究范围覆盖240V与380VHVDC及配套UPS系统，时间跨度自2024年至2030年，重点评估2026年PUE1.2以下严苛标准对SiC整流的投资拉动效应。

核心发现表明，SiCMOSFET及肖特基二极管在整流与逆变环节的损耗相较IGBT降低40%至60%，可使单套10MW算力中心电源系统年节电超过175万度。在