国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究.pptxVIP

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目录

01

研究背景与空间辐射环境挑战

02

关键科学问题与研究框架构建

03

多源辐照实验平台与测试方法创新

04

单粒子效应行为特征与量化分析

05

故障注入与仿真建模技术实践

06

抗辐射加固策略与工程应用展望

研究背景与空间辐射环境挑战

01

单粒子效应作为空间辐射环境对微电子系统的主要威胁之一，严重制约航天器长期在轨可靠性

主要威胁

单粒子效应由高能粒子引发，导致星载SoC出现数据翻转或功能中断。该效应具有突发性和不可预测性，是航天器在轨故障的主要诱因之一。

辐射来源

银河宇宙射线和南大西洋异常区的高能质子是主要辐射源。这些粒子穿透能力强，易引发纳米级工艺器件的敏感区