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基于SiC器件的干热岩地热发电井下高温电子设备在200℃环境中的长期免维护运行趋势预测

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）功率器件与高温电子系统在增强型地热系统（EGS）井下环境中的应用前景，核心研究其在200℃极端温度下实现长期免维护运行的封装与散热技术趋势，并预测至2027年及以后该技术对地热发电测量与控制电力电子化的深远影响。

随着全球对基荷清洁能源需求的激增，干热岩地热开发正从“资源勘探”阶段迈向“商业化规模开采”的关键转折期。本报告的核心判断是：基于SiC芯片的高温封装与系统级散热协同设计，将在2027年前后突破井下电子设备依赖主动冷却与频繁维护的技术瓶颈，实现20