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半导体行业笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.下列哪种材料是典型的本征半导体？

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.硼(B)

2.当PN结反偏时，其主要特性是：

A.结电流增大

B.结电阻减小

C.内建电场增强，耗尽层加宽，阻止多数载流子通过

D.结电压为零

3.MOSFET工作时，控制其导电状态的主要电压是：

A.漏源电压(VDS)

B.源极电压(VS)

C.栅源电压(VGS)

D.阱极电压(VG)

4.在MOSFET的平方律区（饱和区），其漏极电流(ID)主要与以下哪个参数近似成正比？

A.VGS

B.VDS

C.sqrt(VGS-Vth)

D.(VGS-Vth)*VDS

5.下列哪种工艺技术主要用于在半导体晶圆上形成图形化电路元件？

A.离子注入

B.薄膜沉积

C.光刻

D.氧化

6.在CMOS反相器中，使用PMOS和NMOS器件的主要目的是：

A.提高截止电流

B.提高导通电阻

C.实现互补逻辑，降低静态功耗