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双沟道场效应晶体管技术参数与特性说明.pdfVIP

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  • 2026-08-20 发布于北京
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双沟道场效应晶体管技术参数与特性说明.pdf

    N1996年9月

    预发布信息

    NDS8961

    双N沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    SO‑8封装

    N沟道增强型功率场效应管3.1安，30伏。R=0.1@

    V=10伏

    DS(ON)GS

    R=0.15@

    V=4.5V。

    场效应晶体管采用国家公司DS(ON)GS

    专有的高单元密度DMOS技术制造。DS(ON)

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