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2027年计算光刻技术在EUV工艺中的算法优化与设备集成趋势预测

摘要

本报告聚焦计算光刻技术在极紫外（EUV）光刻工艺中的应用，系统研究光学邻近效应修正（OPC）算法的演进路径、2027年设备需求格局、计算资源需求及成本效益模型。研究范围覆盖全球半导体光刻设备市场，时间跨度以2023年为基准，预测至2027年，地理覆盖包括亚太、北美及欧洲三大核心区域。

报告核心发现表明：随着EUV工艺向3nm及以下节点推进，传统基于规则的OPC已全面让位于基于模型的MB-OPC，而逆光刻技术（ILT）正从辅助工具转变为主流方案。2027年全球计算光刻软件与硬件市场规模预计达到48.7亿美元