CN119153352A 抛光过程中测量晶圆金属薄膜厚度的方法、装置、抛光设备和存储介质 (华海清科股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-21 发布于重庆
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CN119153352A 抛光过程中测量晶圆金属薄膜厚度的方法、装置、抛光设备和存储介质 (华海清科股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119153352A

(43)申请公布日2024.12.17

(21)申请号202411628962.1

(22)申请日2024.11.15

(71)申请人华海清科股份有限公司

地址300350天津市津南区咸水沽镇聚兴

道11号

(72)发明人路新春王同庆田芳馨王超

刘杰

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

B24B37/015(2012.01)

B24B49/10(2006.01)

B24B37/10(2012.01)

B24B37/34(2012.01)

B24B57/02(2006.01)

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