CN119153534A 一种超级结沟槽mosfet结构及其制造方法 （浙江大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119153534A

(43)申请公布日2024.12.17

(21)申请号202411651336.4

(22)申请日2024.11.19

(71)申请人浙江大学

地址310000浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人盛况王珩宇张弛程浩远

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限

公司33289

专利代理师郜洪祥

(51)Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L21/336(2006.01)