CN119438845A 基于高频振荡抑制的SiC MOSFET结温监测驱动电路及监测方法 （江苏国传电气有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119438845A

(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411638481.9

(22)申请日2024.11.17

(71)申请人江苏国传电气有限公司

地址221116江苏省徐州市徐州高新区第

二工业园珠江路7号

(72)发明人谭国俊张经纬邱巧龙杨军坤

(74)专利代理机构徐州先卓知识产权代理事务

所(普通合伙)32555

专利代理师陈俊杰

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

权利要求书3页说明书11页附图8页

(54)发明名称

基于高频振荡抑制的S