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130nm部分耗尽SOI器件总剂量效应剖析与加固技术创新

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体器件在众多领域得到了广泛应用，尤其是在航天、核工业等高辐射环境中，对器件的性能和可靠性提出了极高的要求。130nm部分耗尽绝缘体上硅（PartiallyDepletedSilicon-On-Insulator，PD-SOI）器件作为一种新型的硅基半导体器件，凭借其独特的结构和优异的性能，在这些特殊环境中的应用备受关注。

在航天领域，卫星、航天器等设备需要在复杂的空间辐射环境中长时间稳定工作。空间辐射主要由被困在地球磁场中的粒子、太阳耀斑（太阳粒子事件）期间射入太空的粒子以及银河宇宙射线（来自太阳系外的高能质子和重离子）组成，这些电离辐射会对电子设备中的半导体器件产生严重影响。130nm部分耗尽SOI器件由于其隐埋氧化层阻挡了衬底区产生的电子的收集，使对高能粒子敏感的区域比体硅器件小得多，因此具有较强的抗单粒子事件能力；同时，完全的介质隔离使其在瞬时辐照时产生的光电流要小得多，具备很强的抗瞬时辐照能力。在核工业领域，反应堆控制、辐射监测等设备也面临着高强度的辐射环境，130nm部分耗尽SOI器件的抗辐射特性使其成为这些应用的理想选择。

然而，在总剂量辐照环境下，130nm部分耗尽SOI器件的埋氧层和两个Si/SiO?界面会引入更多的陷阱电荷，