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940nm垂直腔面发射激光器外延生长的工艺优化与性能分析

一、引言

1.1研究背景与意义

垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL）自1977年由日本东京工业大学的伊贺健一教授提出概念以来，凭借其阈值电流低、稳定单波长工作、易高频调制、易二维集成、无腔面阈值损伤、动态单模工作、圆形对称光斑和光纤耦合效率高等优点，在众多领域得到了广泛的关注和应用。940nmVCSEL作为VCSEL家族中的重要成员，在3D传感、光通信、激光雷达等领域展现出了不可或缺的作用。

在3D传感领域，随着消费电子、汽车自动驾驶等行业的快速发展，对高精度3D传感技术的需求日益增长。940nmVCSEL由于其波长特性，在近红外波段具有良好的穿透性和低散射性，能够实现高精度的距离测量和物体识别，成为了3D传感系统的核心光源之一。例如，在智能手机的面部识别功能中，940nmVCSEL发射的红外光可以照亮面部，通过检测反射光的时间延迟或相位变化，实现对用户面部特征的精确扫描和识别，为用户提供便捷、安全的解锁体验。在汽车自动驾驶领域，940nmVCSEL可应用于车载激光雷达系统，通过发射和接收激光束，获取周围环境的三维信息，帮助车辆实现自主导航、避障等功能，为自动驾驶的安全性和可靠性提供了有力保障。

在光通信领域