CN119533756A 一种低温漂mems谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法 (中电科芯片技术(集团)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-24 发布于重庆
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CN119533756A 一种低温漂mems谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法 (中电科芯片技术(集团)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119533756A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411644027.4B81C1/00(2006.01)

(22)申请日2024.11.18

(71)申请人中电科芯片技术(集团)有限公司

地址401332重庆市沙坪坝区西永大道23

(72)发明人李光贤袁宇鹏苗晋威张毅

张祖伟

(74)专利代理机构重庆辉腾律师事务所50215

专利代理师卢胜斌

(51)Int.Cl.

G01L19/04(2006.01)

G01L1/18(2006.01)

G01L9/06(2006.01)

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